EMF21的供應信息|PDF資料|求購EMF21上51電子網

EMF21-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS ARRAY COMPLEX 300MW SOT563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：1 NPN 預偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V，12V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz，280MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：剪切帶 (CT)

EMF21-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS ARRAY COMPLEX 300MW SOT563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：1 NPN 預偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V，12V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz，280MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：帶卷 (TR)

EMF21-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS ARRAY COMPLEX 300MW SOT563; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：1 NPN 預偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V，12V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz，280MHz; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：Digi-Reel®

EMF21T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 NPN 預偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V，12V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：帶卷 (TR)

EMF21T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：SILICON EXPITAXIAL PLANAR TRANS; 系列：*; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：; 電流_集電極333Ic444（最大）：; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：; 電流_集電極截止（最大）：; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：; 功率_最大：; 頻率_轉換：; 安裝類型：; 封裝/外殼：; 供應商設備封裝：; 包裝：

EMF21T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS DUAL PNP/NPN EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：1 NPN 預偏壓式，1 PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA，500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V，12V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz，260MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

ECG.0B.305.CLN
連接器，互連器件 LEMO CONN RCPT 5POS PNL MNT SKT PCB
CRCW1206604RFKEA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 604 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ERA-8AEB684V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 680K OHM 1/4W .1% 1206 SMD
EEE-FK1E330AP
電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 33UF 25V 20% SMD
C1210X103KDRACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 10000PF 1KV 10% X7R 1210
ERA-8AEB621V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 620 OHM 1/4W .1% 1206 SMD
EMVE630GDA331MLH0S
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 330UF 63V 20% SMD
ECG.0B.306.CLN
連接器，互連器件 LEMO RECPT W.NUT CDG 6CTS
CRCW1206619KFKTA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 619K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
C1210X104K5RACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 1210
ERA-8AEB624V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 620K OHM 1/4W .1% 1206 SMD
EMVE630GDA471MLN0S
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 470UF 63V 20% SMD
ECG.1B.304.CLV
連接器，互連器件 LEMO RECPT W.NUT CDG 4CTS
ERA-8AEB6982V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 69.8K OHM 1/4W .1% 1206 SMD
EMG11T2R
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor EMT5 TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5

91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av