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EMX1T2R 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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EMX1T2R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:EMX1 SERIES 50 V 0.15 A SMT NPN
系列:*
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:
電流_集電極333Ic444(最大):
電壓_集電極發射極擊穿(最大):
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):
電流_集電極截止(最大):
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:
功率_最大:
頻率_轉換:
安裝類型:
封裝/外殼:
供應商設備封裝:
包裝:

EMX1T2R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS DUAL NPN 50V 150MA EMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:EMT6
包裝:帶卷 (TR)

EMX1T2R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS DUAL NPN 50V 150MA EMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:EMT6
包裝:Digi-Reel®

EMX1T2R詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS DUAL NPN 50V 150MA EMT6
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 1mA,6V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:180MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:EMT6
包裝:剪切帶 (CT)

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