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FCA20N60 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FCA20N60詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
系列:SuperFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3080pF @ 25V
功率_最大:208W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3PN
包裝:管件

FCA20N60_F109詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
系列:SuperFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3080pF @ 25V
功率_最大:208W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3PN
包裝:管件

FCA20N60F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
系列:SuperFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3080pF @ 25V
功率_最大:208W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3PN
包裝:管件

FCA20N60FS詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
系列:SuperFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:98nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3080pF @ 25V
功率_最大:208W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3 整包
供應商設備封裝:TO-3PN
包裝:管件

FCA20N60S_F109詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 650V TO-3PN
系列:SuperFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:260 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2250pF @ 25V
功率_最大:260W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3PN
包裝:管件

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