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FDB9403 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FDB9403_F085詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF N CH 40V 110A TO263AB
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫歐 @ 80A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:213nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:12700pF @ 25V
功率_最大:333W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

FDB9403_F085詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF N CH 40V 110A TO263AB
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫歐 @ 80A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:213nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:12700pF @ 25V
功率_最大:333W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

FDB9403_F085詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF N CH 40V 110A TO263AB
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫歐 @ 80A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:213nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:12700pF @ 25V
功率_最大:333W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
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