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FDC6561AN 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FDC6561AN詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:95 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:220pF @ 15V
功率_最大:700mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:6-SSOT
包裝:剪切帶 (CT)

FDC6561AN詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:95 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:220pF @ 15V
功率_最大:700mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:6-SSOT
包裝:帶卷 (TR)

FDC6561AN詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:95 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:220pF @ 15V
功率_最大:700mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝:6-SSOT
包裝:Digi-Reel®

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