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FDN306 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FDN306P詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1138pF @ 6V
功率_最大:460mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:3-SSOT
包裝:帶卷 (TR)

FDN306P詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1138pF @ 6V
功率_最大:460mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:3-SSOT
包裝:剪切帶 (CT)

FDN306P詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 2.6A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1138pF @ 6V
功率_最大:460mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:3-SSOT
包裝:Digi-Reel®

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