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FDN5618P 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FDN5618P詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.25A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 1.25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 30V
功率_最大:460mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:3-SSOT
包裝:剪切帶 (CT)

FDN5618P詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.25A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 1.25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 30V
功率_最大:460mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:3-SSOT
包裝:帶卷 (TR)

FDN5618P詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
系列:PowerTrench®
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.25A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 1.25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 30V
功率_最大:460mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:3-SSOT
包裝:Digi-Reel®

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