FDS6299S 全國供應商、價格、PDF資料

FDS6299S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 21A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3880pF @ 15V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• IRFU024NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK

• GTN1A114

  磁性 - 位置，近程，速度（模塊）    Honeywell Sensing and Control    桶狀，塑料外殼，法蘭安裝    IC SENSR 83.25MM HALL GEAR TOOTH

• ISC1812ER681K

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR WW 680UH 10% 1812

• IRFU12N25D

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK

• FDS6298

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

• H48-6A-320-320-0.3-2A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6A SHEET 320X320X0.3MM W/ADH

• IPU06N03LB G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

• GTN1A211

  磁性 - 位置，近程，速度（模塊）    Honeywell Sensing and Control    桶狀，塑料外殼，法蘭安裝    IC SENSOR 40MM HALL GEAR TOOTH

• ISC1812ER681K

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR WW 680UH 10% 1812

• IRFU3303

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK

• IPU090N03L G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3

• H48-6A-320-320-3.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 320X320X3MM

• GTS447C101HR

  撥動開關    CW Industries    徑向    SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V

• ISC1812ERR27K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 270NH 10% 1812

• IRFU3607PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK