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FDS6699 全國供應商、價格、PDF資料

FDS6699S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3610pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

FDS6699S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3610pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS6699S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC; 系列：PowerTrench®, SyncFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3610pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

H48-6G-150-150-1.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
IQ1030 2202
配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
FDS6682
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
IRFZ14STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
ISC1812ESR12K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 10% 1812
GJM0335C1E5R3BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201
IRFZ14STRR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
H48-6G-150-150-5.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X5MM
IQ82C55A96
接口 - I/O 擴展器 Intersil 44-QFP IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP
ISC1812ESR12M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 20% 1812
GJM0335C1E5R3WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201
IRFZ24SPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
H48-6G-150-150-5.0-1A
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X5MM W/ADH
IQ82C55AZ96
接口 - I/O 擴展器 Intersil 44-QFP IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP
GJM0335C1E5R5BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201