FDS6982詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,8.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
FDS6982詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,8.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
FDS6982詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,8.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
FDS6982AS詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,8.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:610pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
FDS6982AS詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,8.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:610pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
FDS6982AS詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.3A,8.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:28 毫歐 @ 6.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:610pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
- PMIC - PFC(功率因數修正) International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 2"
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 3.3UH 10% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 2"
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.8PF 25V NP0 0201
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
- IGBT - 單路 International Rectifier Super-220?-3(直引線) IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC RECTIFIER DRIVER DUAL 8-SOIC
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048L/H9991TR 2"
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 100UH 5% 1812
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