FQA44N08詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:80V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:49.8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:34 毫歐 @ 24.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1430pF @ 25V
- 功率_最大:163W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
- 供應商設備封裝:TO-3P
- 包裝:管件
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 4700PF 630V 5% NP0 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 100 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.33UF 100V 10% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 330PF 100V 5% NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 3.3UF 10V 10% X7R 1206
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 10.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 330PF 100V 5% NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 100K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 390PF 100V 5% NP0 0603
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
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