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FQD13N10LTF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD13N10LTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

FQD13N10LTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

FQD13N10LTM詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

FQD13N10LTM_NBEL001詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD13N10TF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 10A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

DN1047-220M
固定式 TE Connectivity 非標準 INDUCTOR 22UH 1.6A 20% SMD 1047
FH35-25S-0.3SHW(50)
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC 25POS 0.3MM SMD
ERJ-6ENF9101V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 9.10K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
FQD13N06LTF
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
FLP2R5.5-UW
面板指示器，指示燈 Bivar Inc LIGHT PIPE 2MM FO RA 5.1MM
CA3108E20A48SB01
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 19POS RT ANG W/SKTS
DPL02T
DIP APEM Components, LLC 18-VFDFN PIANO STYLE DIP SWITCH
DN1047-221K
固定式 TE Connectivity 非標準 INDUCTOR 220UH .53A 10% SMD 1047
FH39-25S-0.3SHW(10)
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC 25POS .3MM SMD
FLP2R6.0-SUR
面板指示器，指示燈 Bivar Inc LIGHT PIPE 2MM FO RA 5.1MM
CA3108E20A9PBF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 9POS RT ANG W/PINS
DN1047-331K
固定式 TE Connectivity 非標準 INDUCTOR 330UH .42A 10% SMD 1047
DPL09
DIP APEM Components, LLC 18-VFDFN PIANO STYLE DIP SWITCH
FH39-33S-0.3SHW(10)
FFC，FPC（扁平軟線）- 連接器 - 面板安裝 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC 33POS .3MM SMD
FQD16N25CTM_F080
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

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