FQD2N50TF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 歐姆 @ 800mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:230pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
FQD2N50TM詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 歐姆 @ 800mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:230pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 9.9PF 25V NP0 0201
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 200K OHM 1/4W 1% AXIAL
- 同軸,RF Amphenol-RF Division 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CONN PLUG FAKRA RG-58, 141
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES FUSE METAL 390 OHM 1/2W 5%
- 配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW LEVER
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 200K OHM 1/4W 1% AXIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 0.2PF 25V NP0 0201
- 同軸,RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA RG-174/316
- 配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW LEVER
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 0.2PF 25V NP0 0201
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 200K OHM 1/4W 1% AXIAL
- 同軸,RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA RG-58, 141
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES FUSE METAL 15 OHM 1/2WS 2%
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