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FQD4P25 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FQD4P25TF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.1 歐姆 @ 1.55A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:420pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

FQD4P25TM詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.1 歐姆 @ 1.55A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:420pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

FQD4P25TM_WS詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.1 歐姆 @ 1.55A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:420pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

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