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FQI17N08 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FQI17N08LTU詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:80V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:16.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 8.25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
功率_最大:3.75W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:I2PAK
包裝:管件

FQI17N08TU詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:80V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:16.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:115 毫歐 @ 8.25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:450pF @ 25V
功率_最大:3.13W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:I2PAK
包裝:管件

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