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FQP19N10 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FQP19N10詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:19A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 9.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 25V
功率_最大:75W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件

FQP19N10L詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:19A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 9.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
功率_最大:75W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件

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