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FQPF7N65 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FQPF7N65C詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:650V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 歐姆 @ 3.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1245pF @ 25V
功率_最大:52W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:管件

FQPF7N65C_F105詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:650V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 歐姆 @ 3.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1245pF @ 25V
功率_最大:52W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:管件

FQPF7N65CYDTU詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:650V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 歐姆 @ 3.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1245pF @ 25V
功率_最大:52W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:管件

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