FQT3P20TF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:670mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
FQT3P20TF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:670mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-4
- 包裝:Digi-Reel®
FQT3P20TF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:670mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
FQT3P20TF_SB82100詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:670mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
FQT3P20TF_SB82100詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:670mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-4
- 包裝:Digi-Reel®
FQT3P20TF_SB82100詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:670mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.7 歐姆 @ 335mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047N/H9991TR 4"
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048Y/H9991TR 4"
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 5"
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 6"
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048G/H9991TR 6"
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊,1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047L/H9991TR 6"
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