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FW231 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FW231A-TL-E詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1530pF @ 10V
功率_最大:2.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP
包裝:剪切帶 (CT)

FW231A-TL-E詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1530pF @ 10V
功率_最大:2.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP
包裝:帶卷 (TR)

FW231A-TL-E詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 8A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1530pF @ 10V
功率_最大:2.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP
包裝:Digi-Reel®

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