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FZT1151A 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FZT1151ATA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP -40V -3000MA SOT-223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250mA,3A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 500mA,2V
功率_最大:2.5W
頻率_轉換:145MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:剪切帶 (CT)

FZT1151ATA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP -40V -3000MA SOT-223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250mA,3A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 500mA,2V
功率_最大:2.5W
頻率_轉換:145MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

FZT1151ATC詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP HI GAIN SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250mA,3A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 500mA,2V
功率_最大:2.5W
頻率_轉換:145MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

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