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FZT688B 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FZT688BTA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 12V 4A SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 50mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:400 @ 3A,2V
功率_最大:2W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:Digi-Reel®

FZT688BTA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 12V 4A SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 50mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:400 @ 3A,2V
功率_最大:2W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:剪切帶 (CT)

FZT688BTA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 12V 4A SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 50mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:400 @ 3A,2V
功率_最大:2W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

FZT688BTC詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN HI GAIN SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):12V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 50mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:400 @ 3A,2V
功率_最大:2W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

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