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FZT755 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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FZT755TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP -150V -1000MA SOT-223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):150V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 200mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 500mA,5V
功率_最大:2W
頻率_轉換:30MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

FZT755TA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP -150V -1000MA SOT-223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):150V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 200mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 500mA,5V
功率_最大:2W
頻率_轉換:30MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:剪切帶 (CT)

FZT755TC詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP MED PWR SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):150V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 200mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:50 @ 500mA,5V
功率_最大:2W
頻率_轉換:30MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

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