HUF75329 全國供應商、價格、PDF資料

HUF75329D3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

系列：UltraFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 20V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應商設備封裝：I-Pak

包裝：管件

HUF75329D3S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

系列：UltraFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 20V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

HUF75329D3ST詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

系列：UltraFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 20V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：TO-252-3

包裝：剪切帶 (CT)

HUF75329D3ST詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

系列：UltraFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 20V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：TO-252-3

包裝：帶卷 (TR)

HUF75329D3ST詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

系列：UltraFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 20V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：TO-252-3

包裝：Digi-Reel®

HUF75329G3詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO-247

系列：UltraFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：49A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 49A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 20V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應商設備封裝：TO-247

包裝：管件

• CRCW120614R3FKEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 14.3 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• ERJ-S1DF20R0U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    2010（5025 公制）    RES ANTI-SULFUR 20 OHM 1% 2010

• FNM-30

  保險絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    5AG，10mm x 38.1mm    FUSE 30A 32VAC T-LAG FNM

• HTZ280H32K

  二極管，整流器    IXYS    模塊    DIODE RECT MOD 32000V 4.7A HTZ

• ERJ-6ENF9530V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES 953 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• CRCW120620R5FKEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 20.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• HUF75307D3ST

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 55V 15A DPAK

• ERJ-S1DF2320U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    2010（5025 公制）    RES ANTI-SULFUR 232 OHM 1% 2010

• CRCW1206150KFKEAHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 150K OHM .5W 1% 1206 SMD

• ERJ-6ENF9530V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES 953 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• CRCW1206210KFKEAHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 210K OHM .5W 1% 1206 SMD

• HUF75332P3

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-220-3    MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB

• CRCW1206150KJNEAHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1206（3216 公制）    RES 150K OHM .5W 5% 1206 SMD

• ERJ-S1DF2492U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    2010（5025 公制）    RES ANTI-SULFUR 24.9KOHM 1% 2010

• FNQ-10

  保險絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    5AG，10mm x 38.1mm    FUSE 10A 500V MIDGET TLAG UL CSA