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IMX8-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IMX8-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-26
包裝:帶卷 (TR)

IMX8-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26
系列:-
制造商:Diodes/Zetex
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-26
包裝:帶卷 (TR)

IMX8-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-26
包裝:剪切帶 (CT)

IMX8-7-F詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-26
包裝:Digi-Reel®

IMX8-7-F詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-26
包裝:剪切帶 (CT)

IMX8-7-F詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:140MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6
供應商設備封裝:SOT-26
包裝:帶卷 (TR)

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