IPB04N03LA 全國供應商、價格、PDF資料
IPB04N03LA詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫歐 @ 55A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
IPB04N03LA詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫歐 @ 55A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:帶卷 (TR)
IPB04N03LA G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫歐 @ 55A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:Digi-Reel®
IPB04N03LA G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫歐 @ 55A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
IPB04N03LA G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫歐 @ 55A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:帶卷 (TR)
IPB04N03LAT詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:80A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.9 毫歐 @ 55A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 60µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3877pF @ 15V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:PG-TO263-3
- 包裝:Digi-Reel®
- 搖臂 NKK Switches SWITCH ROCKER DPST 6A 125V
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 38POS DIP .100 SLD
- AC DC 轉換器 TDK-Lambda Americas Inc PWR SUP 24V 10A SNG OUTPUT
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .100 EXTEND
- AC DC 轉換器 TDK-Lambda Americas Inc POWER SUPPLY 48V
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS DIP .100 SLD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 40POS .100 EXTEND
- AC DC 轉換器 TDK-Lambda Americas Inc POWER SUPPLY 48V
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
- 固定式 Vishay Dale IND AXIAL THRU HOLE 15 10%
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