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IPB100N04S4-H2 全國供應商、價格、PDF資料

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IPB100N04S4-H2詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 70µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7180pF @ 25V
功率_最大:115W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:PG-TO263-3-2
包裝:帶卷 (TR)

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