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IPB10N03LB 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IPB10N03LB詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1639pF @ 15V
功率_最大:58W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA
供應商設備封裝:PG-TO263-3
包裝:帶卷 (TR)

IPB10N03LB G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1639pF @ 15V
功率_最大:58W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-4,D²Pak(3 引線+接片),TO-263AA
供應商設備封裝:PG-TO263-3
包裝:帶卷 (TR)

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