IPD100N04S4-02詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 100A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 95µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:118nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:9430pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3-313
- 包裝:帶卷 (TR)
IPD100N06S4-03詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 毫歐 @ 100A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 90µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:128nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:10400pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3-11
- 包裝:帶卷 (TR)
IPD105N03L G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 15V
- 功率_最大:38W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
IPD105N03L G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 15V
- 功率_最大:38W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:Digi-Reel®
IPD105N03L G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 15V
- 功率_最大:38W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:帶卷 (TR)
IPD105N04L G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 40A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 14µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 20V
- 功率_最大:42W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:PG-TO252-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 2000PF 50V 5% NP0 0603
- 矩形 - 外殼 Samtec Inc TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 CONN HOUSING 6POS 2.54MM DUAL
- 單二極管/齊納 Comchip Technology 0402(1006 公制) DIODE ZENER 22V 125MW 0402
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN
- 單二極管/整流器 Vishay Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB DIODE HEXFRED 1200V 16A D2PAK
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.9V .15A/.3A 10-DFN
- 過時/停產零件編號 Freescale Semiconductor BUS ANALYZER CABLE
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 22PF 50V 1% NP0 0603
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3V/2.7V 10-DFN
- 二極管,整流器 Vishay Semiconductors TO-244AB DIODE HEXFRED 400V 172A TO-244AB
- 配件 Freescale Semiconductor BUS ANALYZER CABLE
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 220PF 50V 5% NP0 0603
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