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IPD10 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IPD100N04S4-02詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 95µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:118nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:9430pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3-313
包裝:帶卷 (TR)

IPD100N06S4-03詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 90µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:128nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:10400pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3-11
包裝:帶卷 (TR)

IPD105N03L G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 15V
功率_最大:38W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:剪切帶 (CT)

IPD105N03L G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 15V
功率_最大:38W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:Digi-Reel®

IPD105N03L G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 15V
功率_最大:38W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:帶卷 (TR)

IPD105N04L G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫歐 @ 40A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 14µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 20V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:帶卷 (TR)

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