IR2011 全國供應商、價格、PDF資料

IR2011詳細規格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關

描述：HI/LO SIDE DRVR 8-DIP

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：80ns

導通電阻：

電流_峰值：1A

電流_輸出/通道：

配置數：1

電流_峰值輸出：

輸出數：2

高壓側電壓_最大值（自舉）：200V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：8-DIP（0.300"，7.62mm）

供應商器件封裝：8-DIP

包裝：管件

IR2011PBF詳細規格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關

描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：80ns

導通電阻：

電流_峰值：1A

電流_輸出/通道：

配置數：1

電流_峰值輸出：

輸出數：2

高壓側電壓_最大值（自舉）：200V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：8-DIP（0.300"，7.62mm）

供應商器件封裝：8-DIP

包裝：管件

IR2011S詳細規格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關

描述：HI/LO SIDE DRVR 8SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：80ns

導通電阻：

電流_峰值：1A

電流_輸出/通道：

配置數：1

電流_峰值輸出：

輸出數：2

高壓側電壓_最大值（自舉）：200V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOIC N

包裝：管件

IR2011SPBF詳細規格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關

描述：HI/LO SIDE DRVR 8SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：80ns

導通電阻：

電流_峰值：1A

電流_輸出/通道：

配置數：1

電流_峰值輸出：

輸出數：2

高壓側電壓_最大值（自舉）：200V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOIC N

包裝：管件

IR2011STR詳細規格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關

描述：HI/LO SIDE DRVR 8SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：80ns

導通電阻：

電流_峰值：1A

電流_輸出/通道：

配置數：1

電流_峰值輸出：

輸出數：2

高壓側電壓_最大值（自舉）：200V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

IR2011STRPBF詳細規格

類別：PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關

描述：HI/LO SIDE DRVR 8SOIC

系列：-

制造商：International Rectifier

類型：

配置：高端和低端，獨立

輸入類型：非反相

延遲時間：80ns

導通電阻：

電流_峰值：1A

電流_輸出/通道：

配置數：1

電流_峰值輸出：

輸出數：2

高壓側電壓_最大值（自舉）：200V

電壓_電源：10 V ~ 20 V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商器件封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• FDS7088N3

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC

• IRG4BC30F-STRLP

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    IGBT ULT FAST 600V 31A D2PAK

• H4BBG-10103-A1-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047A/H9991TR 3"

• GJM0335C1E6R3DB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.3PF 25V NP0 0201

• ISC1812RQ220K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 22UH 10% 1812

• IR19-21C/TR8

  紅外發射器，UV 發射器    Everlight Electronics Co Ltd    0603（1608 公制）    LED IR GAA1AS WATER CLEAR SMD

• IRG4BC30F-STRR

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    N-CHAN IGBT 600V 31A COPAK D2PAK

• FDS7088N3

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC

• IRG4BC30K

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-220-3    IGBT UFAST 600V 28A TO-220AB

• GJM0335C1E6R4BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.4PF 25V NP0 0201

• ISC1812RQ2R2J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 2.2UH 5% 1812

• IRG4BC30K-S

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    IGBT UFAST 600V 28A D2PAK

• FDS7096N3

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

• IRG4BC30U

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-220-3    IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB

• ISC1812RQ330K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 33UH 10% 1812