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IRC640PBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRC640PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
系列:HEXFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:電流感測
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 11A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
功率_最大:125W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-5
供應商設備封裝:TO-220-5
包裝:管件

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