IRF1010NS的供應信息|PDF資料|求購IRF1010NS上51電子網

IRF1010NS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：85A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1010NSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：85A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1010NSTRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：85A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1010NSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：85A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF1010NSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：85A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1010NSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：85A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3210pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

DTS26F17-6SE-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
IRF1010NSTRL
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
IRF7325TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS P-CH DUAL 12V 7.8A 8SOIC
IPI12CNE8N G
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
HCM1103-150-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR HIGH CURRENT 15UH SMD
DTS24F17-35PN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
IMC1812RV1R0K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1812
E32-T12L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
DTS26F17-8AD
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS PIN
IPI147N12N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
HCM1103-220-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR HIGH CURRENT 22UH SMD
DTS24F17-35PN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
IMC1812RV220J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 22UH 5% 1812
E32-T12R
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS HIGH FLEX T-BEAM 3MM DIA
DTS26F17-8JN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/SKT

91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av