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IRF1405ZL 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF1405ZL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:75A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫歐 @ 75A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4780pF @ 25V
功率_最大:230W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:TO-262
包裝:管件

IRF1405ZL-7PPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫歐 @ 88A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 150µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:230nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5360pF @ 25V
功率_最大:230W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-263-7(直引線)
供應商設備封裝:TO-263CA-7
包裝:管件

IRF1405ZLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:75A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.9 毫歐 @ 75A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4780pF @ 25V
功率_最大:230W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:TO-262
包裝:管件

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