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IRF2807ZS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF2807ZSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF2807ZSTRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF2807ZSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF2807ZSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF2807ZSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

ISL32272EIBZ-T
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC XMITTER ESD RS422 LP 16-SOIC
IRLH5030TR2PBF
FET - 單 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
E3Z-T61-J0SHW-M1
光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 SENSOR PHOTOELECTR 15M M12 CONN
IRF2807ZPBF
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
E39-L52
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3SA
ISL9000IRPLZ-T
PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.85V/2.9V .3A 10-DFN
HM17-895100LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
IRLHM620TR2PBF
FET - 單 International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
ISL32273EFBZ
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC RCVR RS485/422 QD ESD 16SOIC
IRFZ46L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK
E39-L52
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3SA
ISL9000KJEV2
過時/停產零件編號 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 EVAL BOARD 2.85V/2.8V ISL9000KJ
HM17-895120LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
IRLHS2242TR2PBF
FET - 單 International Rectifier 6-PowerVDFN MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
ISL32275EIVZ-T
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC RCVR RS485/422 QD ESD 16TSSOP

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