IRF2907ZS-7PPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:160A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.8 毫歐 @ 110A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7580pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:D2PAK(7-Lead)
- 包裝:管件
IRF2907ZSPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:160A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:270nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7500pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF2907ZSTRL7PP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:160A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.8 毫歐 @ 110A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7580pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:D2PAK(7-Lead)
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF2907ZSTRL7PP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:160A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.8 毫歐 @ 110A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7580pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:D2PAK(7-Lead)
- 包裝:Digi-Reel®
IRF2907ZSTRL7PP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:160A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.8 毫歐 @ 110A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7580pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
- 供應商設備封裝:D2PAK(7-Lead)
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF2907ZSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:160A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 75A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:270nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7500pF @ 25V
- 功率_最大:300W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Intersil 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC XMITTER ESD RS422 LP 16-SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 NPN,T-B,TWIST&CLICK, M12
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET E3S VERT SENSORS
- 評估板 - 線性穩壓器 (LDO) Intersil EVAL BOARD 3.3V/2.5V ISL9000NF
- 固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Intersil 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC XMITTER ESD RS422 LP 16-SOIC
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 SENSOR PHOTOELECTRIC 15M
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET E3S VERT SENSORS
- 評估板 - 線性穩壓器 (LDO) Intersil EVAL BOARD 3.3V/2.8V ISL9000NJ
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
- 固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
江西省|
江源县|
进贤县|
凤台县|
武城县|
肥城市|
西盟|
大方县|
沾益县|
射阳县|
辽阳市|
南岸区|
鹿泉市|
上栗县|
隆昌县|
怀柔区|
凤台县|
周宁县|
樟树市|
慈溪市|
项城市|
厦门市|
吉安市|
娱乐|
冕宁县|
西华县|
华安县|
唐河县|
南城县|
泰顺县|
屯门区|
涟源市|
柘荣县|
武功县|
合肥市|
伊宁县|
衡山县|
左贡县|
内丘县|
浦县|
洛浦县|