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IRF30 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF3000詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:300V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 960mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:730pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:管件

IRF3000PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:300V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫歐 @ 960mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:730pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:管件

IRF3007PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:75A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.6 毫歐 @ 48A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3270pF @ 25V
功率_最大:200W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

IRF3007SPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:62A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.6 毫歐 @ 48A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3270pF @ 25V
功率_最大:120W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件

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