IRF3711Z詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF3711ZCL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3711ZCLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3711ZCS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3711ZCSTRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3711ZCSTRLP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- PMIC - 監控器 Texas Instruments * IC CIRC RESET MICROPWR SOT23-3
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
- 數據采集 - 模數轉換器 Intersil 72-VFQFN 裸露焊盤 IC ADC 10BIT 170MSPS DUAL 72-QFN
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) TXRX ESD RS-485/422 LP 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.5UH 19A SMD
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments TO-263-8,D²Pak(7 引線+接片),TO-263CA IC REG BUCK ADJ 5A TO263-7
- PMIC - 監控器 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC CIRC RESET MICROPWR SOT23-3
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3300PF 50V X7R RADIAL
- 數據采集 - 模數轉換器 Intersil 72-VFQFN 裸露焊盤 IC ADC 12BIT 170MSPS DUAL 72-QFN
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) TXRX ESD RS-485/422 LP 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 12A SMD
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments * IC REG BUCK 12V 5A TO220-7
- PMIC - 監控器 Texas Instruments * IC CIRC RESET MICROPWR SOT23-3
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
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