IRF3808LPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:106A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 82A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3808PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:140A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 82A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:330W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF3808SPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:106A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 82A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3808STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:106A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 82A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRF3808STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:106A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 82A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3808STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:75V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:106A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 82A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:220nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5310pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
- FET - 單 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
- FET - 單 International Rectifier TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 470NM BLUE 15DEG
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- PMIC - 監控器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SUPERVISORY VOLT QUAD 8-SOIC
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 52-QFP IC SRAM 16KBIT 55NS 52QFP
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 155 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK HCS CONN/CRIMP SIMPL
- FET - 單 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC REG CTRLR PWM CM 8MSOP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 18MBIT 250MHZ 100LQFP
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK HCS CONN/CRIMP SIMPL
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 148.5 MHZ 2.5V LVDS SMD
- FET - 單 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA MOSFET N-CH TO-268
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