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IRF4905LPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF4905PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：74A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 38A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3400pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF4905SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF4905STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF4905STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF4905STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IPP60R600CP
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
IRF4905STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
KAJ05LGGT
DIP E-Switch SWITCH DIP LOW PRO 5 POS GOLD
LM8261M5
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments IC OP AMP HI OUT R-R SOT23-5
ISL8204MIRZ-T
DC DC Converters Intersil 15-BQFN IC BUCK SYNC ADJ 4A 15QFN
LM2678SD-3.3
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments * IC REG BUCK 3.3V 5A 14-LLP
K332M20X7RL5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3300PF 500V X7R RADIAL
IPP60R750E6
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
IHLP5050EZER1R0M01
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.0UH 29A SMD
LM8261M5/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC OP AMP HI OUT R-R SOT23-5
ISL8206MIRZ
DC DC Converters Intersil 15-BQFN IC BUCK SYNC ADJ 6A 15QFN
IPP65R280C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
K333K15X7RF5TK2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.033UF 50V 10% RADIAL
LM2678SD-3.3/NOPB
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments 14-VDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK 3.3V 5A 14-LLP
IHLP5050EZER3R3M01
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 15A SMD

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