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IRF530NS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF530NSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF530NSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF530NSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF530NSTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF530NSTRRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

ISC1812BNR33K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 330NH 10% 1812
E39-UF1-10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BIG LENS ASSEMBLY
IRF5210STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
HGG.0B.303.CLLPV
連接器，互連器件 LEMO 4-SOJ，5.08mm 間距 RECPT W.NUT CDG 3CTS
IRFB4310ZPBF
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
IRF7665S2TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等距 SB MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
ISL62884CHRTZ-T
PMIC - 穩壓器 - 專用型 Intersil 28-WFQFN 裸露焊盤 IC REG PWM SGL PHASE 28TQFN
HCPL0637
光隔離器 - 邏輯輸出 Fairchild Optoelectronics Group 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） OPTOCOUPLER 10MBIT 2CH HS 8SOICW
ISC1812BNR39K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 390NH 10% 1812
HGG.0B.305.CLLPV
連接器，互連器件 LEMO 4-SOJ，5.08mm 間距 RECPT W.NUT CDG 5CTS BRAZ.
IRF7701GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
IRFB4615PBF
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
ISL6291-1CR
PMIC - 電池管理 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC BATT CHRGR LI-ION 4.1V 16-QFN
HCPL-063A-500E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） OPTOCPLR LOG-OUT 2CH 10MBD 8SOIC
ISC1812EB1R5J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.5UH 5% 1812

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