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IRF5806 全國供應商、價格、PDF資料

IRF5806詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：86 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：594pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：管件

IRF5806TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：86 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：594pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF5806TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：86 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：594pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：Digi-Reel®

IRF5806TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：86 毫歐 @ 4A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：594pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應商設備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：帶卷 (TR)

IXFT52N50P2
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 52A TO268
K183K15X7RK5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 200V 10% RADIAL
K180K15C0GF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
ECQ-E6473KF3
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
IRF5803D2TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
ISL6612BIB
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
KTR10EZPJ100
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
IXFT58N20Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
K183M10X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
ECQ-E6473KF3
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
KTR10EZPJ102
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.0K OHM 1/8W 5% 0805 SMD
ISL6612BIR
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
IXFT60N25Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
K183M10X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
K180K15C0GH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 100V 10% RADIAL