IRF624 全國供應商、價格、PDF資料

IRF624詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF624L詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF624PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF624S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF624SPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF624STRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• KTR10EZPJ220

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 22 OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• IXFT9N80Q

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 800V 9A TO-268

• K183M20X7RL53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 500V 20% RADIAL

• LM57CISD-10/NOPB

  溫度    Texas Instruments    8-WFDFN 裸露焊盤    IC PROG TEMP SWITCH SENSOR 8-LLP

• ECQ-E6563JF3

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL

• IRF6216TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC

• KTR10EZPJ225

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 2.2M OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• ISL6612CRZ-T

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 10DFN

• K2000E70

  二端交流開關元件，硅對稱二端開關元件    Littelfuse Inc    TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）    SIDAC 190-215 VOLTS TO-92

• ECQ-E6563KZ

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL

• IXFV14N80P

  FET - 單    IXYS    TO-220-3（SMT）標片    MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220

• KTR10EZPJ274

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 270K OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• ISL6613ACRZ

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

• LM60BIM3

  溫度    Texas Instruments    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC TEMP SENSOR 2.7V SOT23-3

• K2000E70RP2

  二端交流開關元件，硅對稱二端開關元件    Littelfuse Inc    TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引線    SIDAC 200V 1A TO-92