IRF644S詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF644SPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF644STRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF644STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF644STRR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF644STRRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14.0A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 Texas Instruments 56-TFSOP(0.240",6.10mm 寬) IC 16BIT REG TXRX 3-ST 56-TSSOP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 1206
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.0UH 55.5A SMD
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 Texas Instruments 56-TFSOP(0.240",6.10mm 寬) IC 16BIT BUS TXRX 3-ST 56-TSSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP DIFF 500KHZ SGL 8SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 1M OHM 4 RES 1206
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.0UH 53A SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DIFF AMP 200V 8-SOIC
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 Texas Instruments 56-BSSOP(0.295",7.50mm 寬) IC 16BIT BUS TXRX 3-ST 56-SSOP
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
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