IRF6619的供應信息|PDF資料|求購IRF6619上51電子網

IRF6619詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6619詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6619TR1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6619TR1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6619TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6619TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.2 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5040pF @ 10V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

DTS20W23-53JE
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 53POS FLANGE W/SKT
DTS26W13-8SC-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS SKT
IRF6618TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
DTS24F23-53JN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 53POS JAM NUT W/SKT
DS21354LB+
接口 - 電信 Maxim Integrated 100-LQFP IC TXRX E1 3.3V 100-LQFP
INA129PG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8DIP
DTS20W23-53PB-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS PIN
DTS26W13-98AC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 10POS PIN
GTC02R-24-10P(025)
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS
DS21354LN
接口 - 電信 Maxim Integrated 100-LQFP IC TXRX E1 1-CHIP 3.3V 100-LQFP
INA129U
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
DTS20W23-53SB-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
DTS26W13-98HB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 10POS STRGHT W/PINS
GTC02R-24-22S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
IRF6619TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av