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IRF6622TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 13V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6622TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 13V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：Digi-Reel®

IRF6622TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 13V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6622TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 13V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6622TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 13V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6622TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 13V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：Digi-Reel®

IMC0805ERR68J01
固定式 Vishay Dale 0805（2012 公制） INDUCTOR WW 680NH 5% 0805
IVS1-5Q0-5Q0-60-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF7453TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
KMPC8349ECVVAJDB
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA
IRF6620TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
KPT06B22-36S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 36POS CABLE SKT
IMC1008ER1R0J
固定式 Vishay Dale 1008（2520 公制） INDUCTOR 1.0UH 5% SMD
K392K20C0GH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 100V 10% RADIAL
IVS1-5R0-3R0-60-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KMPC8349VVAJFB
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA
KPT06B22-41P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 41POS W/PIN CABLE
KPSE01F14-12SF0
圓形 - 外殼 ITT Cannon 12 SOCKET CONTACT CONNECTOR
IMC1008ER22NJ
固定式 Vishay Dale 1008（2520 公制） INDUCTOR 22NH 5% SMD
IVS1-5U0-5U0-00-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
K392M10X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 50V X7R RADIAL

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