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IRF6631TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：Digi-Reel®

IRF6631TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6631TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6631TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6631TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：Digi-Reel®

IRF6631TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

H2BXG-10110-G4-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015G/X 10"
IRF6631TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
HC-14107
支架 - 元件 Bud Industries 非標準 CHASSIS VALULINE 10.5" X17"X 15"
GP1UE270RKVF
光學 - 光電檢測器 - 遙控接收器 Sharp Microelectronics PCB 安裝 IC IR DETECTOR LV 36KHZ REMOTE
FGG.0K.309.CLAC50
連接器，互連器件 LEMO PLUG CDG 9CTS C-COL
IPP120N06S4-02
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
HC1-5R1-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR PWR HI CURR 5.1UH SMD
H2BXG-10110-L8-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048L/X 10"
IRF7905PBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
HC1E-H-DC6V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 非標準 RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 5A 6V
FGG.0K.309.CYCC50
連接器，互連器件 LEMO PLUG CDG 9CTS C-COL
IPP147N12N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
HC1E-HP-DC48V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 非標準 RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 48V
H2BXG-10112-A4-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015A/X 12"
IRF7910TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 12V 10A 8-SOIC

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