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IRF6635TR1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6635TR1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6635TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：Digi-Reel®

IRF6635TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6635TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6635TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：32A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5970pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

GMM31DRSN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS DIP .156 SLD
ISC1210ER101J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 100UH 5% 1210
FK0810003
振蕩器 Pericom 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 8.192MHZ 3.3V SMD
INTRFCEV
配件 Microchip Technology BOARD EVAL PSRR/DIGITAL NOISE
GMC05DTEN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET
ISL32457EIUZ-T
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC TRANSCEIVER 8-MSOP
FK1000008
振蕩器 Pericom 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 10MHZ 3.3V SMD
GMM31DTAD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD
FOV454X4YL
線槽，走線系統 - 附件 Panduit Corp FITTING OUT VERT 45DEG YEL 4X4
GMC06DRAI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .100 SLD
INTRFCEV
配件 Microchip Technology BOARD EVAL PSRR/DIGITAL NOISE
ISL32457EIUZ-T7A
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC LINEAR
IRF6636
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
GMM31DTAH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD
ISC1210ER1R0K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1210

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