IRF6645TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SJ
- 包裝:Digi-Reel®
IRF6645TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SJ
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6645TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SJ
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6645TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SJ
- 包裝:帶卷 (TR)
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- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SJ
- 包裝:剪切帶 (CT)
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- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
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- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SJ
- 包裝:Digi-Reel®
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 13.500MHZ 18PF SMD
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SJ MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPT THROUGH BEAM
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions SC-70,SOT-323 CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1506TR/A2015W/X 12"
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 100POS SKT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS HI TEMP 150DEG C 2M T-BEAM
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3049A/H1505TR 2"
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions SC-70,SOT-323 CONN EDGECARD 10POS .100 EYELET
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 53POS STRGHT W/PINS
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