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IRF6645TR1PBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF6645TR1PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
供應商設備封裝:DIRECTFET? SJ
包裝:Digi-Reel®

IRF6645TR1PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
供應商設備封裝:DIRECTFET? SJ
包裝:帶卷 (TR)

IRF6645TR1PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 5.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4.9V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 25V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DirectFET? 等容 SJ
供應商設備封裝:DIRECTFET? SJ
包裝:剪切帶 (CT)

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