IRF6648TR1 全國供應商、價格、PDF資料

IRF6648TR1詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：86A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V

功率_最大：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN

供應商設備封裝：DIRECTFET? MN

包裝：剪切帶 (CT)

IRF6648TR1詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：86A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V

功率_最大：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN

供應商設備封裝：DIRECTFET? MN

包裝：帶卷 (TR)

IRF6648TR1PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：86A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V

功率_最大：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN

供應商設備封裝：DIRECTFET? MN

包裝：Digi-Reel®

IRF6648TR1PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：86A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V

功率_最大：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN

供應商設備封裝：DIRECTFET? MN

包裝：剪切帶 (CT)

IRF6648TR1PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：86A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 17A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 150µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2120pF @ 25V

功率_最大：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 MN

供應商設備封裝：DIRECTFET? MN

包裝：帶卷 (TR)

• KTR18EZPJ332

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 3.3K OHM 1/4W 5% 1206 SMD

• IRF6646TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    DirectFET? 等容 MN    MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

• L78M12ABDT-TR

  PMIC - 穩壓器 - 線性    STMicroelectronics    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    IC REG LDO 12V .5A DPAK

• IXGH45N120

  IGBT - 單路    IXYS    TO-247-3    TRANSISTOR IGBT N-CHAN 1200V

• K221K15C0GH5TH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL

• LMX2485SQ/NOPB

  時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器    Texas Instruments    24-WFQFN 裸露焊盤    IC PLL FREQ SYNTH 3GHZ 24-LLP

• LM7321QMFX/NOPB

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    SC-74A，SOT-753    IC OPAMP RRIO 20MHZ SOT23-5

• ISL6842IRZ-T

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Intersil    8-VFDFN 裸露焊盤    IC REG CTRLR PWM CM 8-DFN

• KTR18EZPJ333

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 33K OHM 1/4W 5% 1206 SMD

• IXGH48N60A3D1

  IGBT - 單路    IXYS    TO-247-3    IGBT 300A 600V TO-247AD

• K221K15C0GL53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 220PF 500V 10% RADIAL

• LMX2485SQX/NOPB

  時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器    Texas Instruments    *    IC FREQ SYNTH 3GHZ 24-LLP

• LM7322MAX/NOPB

  未定義的系列    Texas Instruments    *    IC AMP DUAL RRIO 16MHZ 30V 8SOIC

• ISL6842IUZ-T

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Intersil    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC REG CTRLR PWM CM 8MSOP

• KTR18EZPJ335

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 3.3M OHM 1/4W 5% 1206 SMD