IRF6655TR1詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SH
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SH
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6655TR1PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SH
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SH
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6655TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SH
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SH
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6655TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SH
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SH
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6655TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:62 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4.8V @ 25µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:11.7nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 25V
- 功率_最大:2.2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 SH
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? SH
- 包裝:Digi-Reel®
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 68UH 5% 1210
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 256-BGA IC MPU PWRQUICC 80MHZ 256-PBGA
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 39POS CBL MNT SKT
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS W/PIN CABLE
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 6.8UH 5% 1210
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 41POS CBL MNT PIN
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS W/SKT CABLE
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 82UH 5% 1210
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